半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002179915
Publication number (International publication number)：2003174191
Application date： Jun. 20, 2002
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】発光層を含む半導体多層膜の最上層と透明樹脂との境界における光の全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防止することができ、光取り出し効率の向上をはかる。【解決手段】 n型GaAs基板110上に、n型InAlPクラッド層112,InGaAlP活性層113,及びp型InAlPクラッド層114からなるダブルへテロ構造部を形成し、その上にp型InGaP電流拡散層115,p型GaAsコンタクト層116を形成し、コンタクト層116上に部分的にp側電極118を形成した緑色LEDにおいて、コンタクト層116上で電極118が形成されてない部分に反射防止膜117を形成し、この反射防止膜117の表面を粗面加工し、表面ラフネス(PV値(max-min))を、200nm以上で且つ発光波長以下に設定した。

Claim (excerpt)：

主面を有する基板と、前記基板の主面上に形成された、発光層を含む半導体多層膜と、前記半導体多層膜の前記基板と反対側の光取り出し面側に設けられた複数の錐体状の突起物とを具備してなる面発光型の半導体発光素子であって、前記複数の突起物における底面と側面との交差角度は、30度以上で70度以下に設定されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 33/00 B , H01L 21/205

F-Term (16)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA65 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CA88 , 5F041CA93 , 5F041CA99 , 5F045AA04 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AF04 , 5F045CA10 , 5F045DA53

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309238 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036026 Applicant：サンケン電気株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-184328 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (10)

半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-309238 Applicant：株式会社東芝
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-036026 Applicant：サンケン電気株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-184328 Applicant：株式会社東芝

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

100 nm period silicon antireflection structures fabricated using a porous alumina membrane mask

Cited by examiner (1)

100 nm period silicon antireflection structures fabricated using a porous alumina membrane mask

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