発光半導体素子

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001579374
Publication number (International publication number)：2003532298
Application date： Mar. 16, 2001
Publication date： Oct. 28, 2003
Summary：

【要約】本発明はGaNベースの発光半導体素子に関し、この発光半導体素子の半導体基体は種々のGaN半導体層(1)の積層体によって形成されている。この半導体基体は第1の主面(3)及び第2の主面(4)を有し、生成される放射(5)が第1の主面(3)を通過して出力結合され、また第2の主面(4)上にはリフレクタ(6)が形成されている。さらに本発明は、本発明による半導体素子の製造方法にも関する。先ず基板(8)上には中間層(9)が被着され、この中間層(9)上には素子の半導体基体を形成する複数のGaN層(1)が被着される。最終的には、基板(8)及び中間層(9)が剥がされ、半導体基体の一方の主面にはリフレクタ(6)が形成される。

Claim (excerpt)：

発光半導体素子であって、該半導体素子の半導体基体は種々のIII-V族窒化物半導体層(1)の積層体によって形成されており、該半導体素子は第1の主面(3)及び第2の主面(4)を有し、生成される放射(5)の少なくとも一部は前記第1の主面(3)を通過して出力結合される、発光半導体素子において、前記第2の主面(4)上にリフレクタが被着されていることを特徴とする、発光半導体素子。

F-Term (4)：

5F041AA03 , 5F041AA04 , 5F041CA40 , 5F041CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190069 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
発光素子および発光素子用ウエハならびにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-122378 Applicant：住友電気工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-184851 Applicant：ローム株式会社

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