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J-GLOBAL ID：200903044171339734

発光素子

Inventor： 西田 豊三 ,  冨永 浩司 ,  畑 雅幸 ,  澤田 稔
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998371990
Publication number (International publication number)：2000216431
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：

【要約】【目的】 発光強度の向上した発光素子を提供する。【構成】 基板1の一主面上に、n型半導体層とp型半導体層とを備え、且つp型半導体層上に形成されたp側電極12の側から発光が取り出されるようにされた発光素子において、p側電極12は、p型半導体層の表面を覆って設けられた電極膜部分12Aと、前記p型半導体層を露出して設けられた発光取出し部12Bとを有し、且つp側電極12における電極膜部分12Aの割合が50%より大きく75%以下である。

Claim (excerpt)：

n型半導体層とp型半導体層とを備え、且つ前記p型半導体層上に形成されたp側電極の側から発光が取り出されるようにされた発光素子において、前記p側電極は、前記p型半導体層の表面を覆って設けられた電極膜部分と、前記p型半導体層を露出して設けられた発光取出し部とを有し、且つ前記p側電極における前記電極膜部分の割合が50%より大きく75%以下であることを特徴とする発光素子。

F-Term (8)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開平4-100277
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-057235   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-135220   Applicant：旭化成工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-093117   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-279967   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-326334   Applicant：ローム株式会社
• 化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-328558   Applicant：株式会社東芝