絶縁膜形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：志賀正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999217910
Publication number (International publication number)：2000077404
Application date： Jul. 30, 1999
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】ボイドのない絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法を提供することである。【解決手段】第1絶縁膜を蒸着する段階と、第1絶縁膜をエッチングする段階及び第2絶縁膜を蒸着する段階で構成されることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に多数のリセス領域を形成する段階と、前記リセス領域を含んで前記基板全面に第1絶縁膜を蒸着する段階と、前記リセス領域各々の下部に前記第1絶縁膜が残るように前記第1絶縁膜をエッチングする段階と、前記リセス領域を充填するように前記第1絶縁膜を含んで前記基板全面に第2絶縁膜を蒸着する段階とを含むことを特徴とする絶縁膜形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 , H01L 21/306

FI (2)：

H01L 21/316 X , H01L 21/306 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

低融点無機材料を使用する集積回路構造の改良された平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-013590 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体基板の平坦化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-117092 Applicant：三星電子株式会社
低誘電率の多層膜を堆積するための方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-343564 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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