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J-GLOBAL ID：200903046716726016

低誘電率の多層膜を堆積するための方法及び装置

Inventor：
ストウアード ロブレス

About ストウアード ロブレス


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997343564
Publication number (International publication number)：1998189569
Application date： Nov. 07, 1997
Publication date： Jul. 21, 1998
Summary：
【要約】【課題】比誘電率が低い絶縁膜を提供する。【解決手段】基板上のパリレン等の各有機材料層間に、多数の炭素ベースの層を形成する。炭素ベースの層は、高密度プラズマ化学気相堆積システムを用いて形成されるのが好ましいが、他のCVDシステムを用いてもよい。結果として、全体としての比誘電率が低く、卓越したギャップ埋め込み特性を有し、望ましい熱特性を有する多層絶縁膜が得られる。
Claim (excerpt)：
基板上に絶縁膜を形成する方法であって、(a)前記基板上に炭素ベースの膜を形成するステップと、(b)前記炭素ベースの膜上にポリマー膜を形成するステップと、(c)前記ステップ(a)及び前記ステップ(b)を、所望の厚さを有する多層絶縁膜が前記基板上に堆積されるまで繰り返すステップと、(d)前記絶縁膜上に最終的な炭素ベースの膜キャップを形成するステップと、を有する方法。
IPC (2)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31
FI (2)：
H01L 21/314 M ,  H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (15)
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