半導体IC内蔵モジュール及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：鷲頭光宏 , 緒方和文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004191369
Publication number (International publication number)：2005064470
Application date： Jun. 29, 2004
Publication date： Mar. 10, 2005
Summary：

【課題】電極ピッチが非常に狭い半導体ICを用いて半導体IC内蔵モジュールを構成する。【解決手段】樹脂層140,150と、樹脂層140,150を貫通して設けられたポスト電極120と、樹脂層140と樹脂層150との間に埋め込まれるように固定され、研磨により薄膜化された半導体IC130とを備える。半導体IC130のランド電極上にはスタッドバンプ132が設けられ、スタッドバンプ132はポスト電極120に対して位置決めされている。本発明では、半導体IC130に設けられたスタッドバンプ132がポスト電極120に対して位置決めされていることから、スタッドバンプ132の平面的な位置が実質的に固定的となり、したがって、100μm以下、特に60μm程度といった電極ピッチが非常に狭い半導体ICを用いることが可能となる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1の樹脂層と、第2の樹脂層と、少なくとも前記第1及び第2の樹脂層内に埋め込まれたポスト電極と、前記第1の樹脂層と前記第2の樹脂層との間に埋め込まれるように固定された半導体ICとを備え、前記半導体ICのランド電極上にはスタッドバンプが設けられ、前記スタッドバンプは前記ポスト電極に対して位置決めされていることを特徴とする半導体IC内蔵モジュール。

IPC (3)：

H01L23/12 , H01L21/60 , H05K3/46

FI (4)：

H01L23/12 F , H05K3/46 Q , H01L23/12 N , H01L21/92 604J

F-Term (1)：

5E346FF45

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電子回路基板の高密度実装構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-139275 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (6)

部品内蔵モジュールとその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-395071 Applicant：松下電器産業株式会社
ICチップ内蔵多層基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-222050 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-322893 Applicant：松下電器産業株式会社

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