大面積及び小面積半導体発光フリップチップ装置のための接触方式

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (9)：中村稔 , 大塚文昭 , 熊倉禎男 , 宍戸嘉一 , 今城俊夫 , 小川信夫 , 村社厚夫 , 西島孝喜 , 箱田篤
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003168636
Publication number (International publication number)：2004047988
Application date： Jun. 13, 2003
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】発光ダイオードの接点を提供する。【解決手段】本発明によれば、発光装置は、基板、基板の上に重なる第1の導電型の層、第1導電型層の上に重なる発光層、及び、発光層の上に重なる第2の導電型の層を含む。複数のヴィアが、第2導電型層内に第1導電型層まで下って形成される。これらのヴィアは、例えば、エッチング、イオン注入、又は、第2導電型層の選択的な成長によって形成することができる。一組の第1の接点は、ヴィアを通じて第1導電型層と電気的に接触する。第2の接点は、第2導電型層と電気的に接触する。いくつかの実施形態において、第2接点の面積は、装置の面積の少なくとも75%である。いくつかの実施形態において、ヴィアは、2〜100ミクロンの間の幅を有し、5〜1000ミクロンの間の間隔を空けて配置される。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の上に重なる第1の導電型の層と、前記第1導電型層の上に重なる発光層と、前記発光層の上に重なる第2の導電型の層と、前記第2導電型層に形成された、前記第1導電型層まで延びる複数のヴィアと、前記複数のヴィアを通じて前記第1導電型層と電気的に接触する複数の第1の接点と、前記第2導電型層と電気的に接触する少なくとも1つの第2の接点と、を含むことを特徴とする発光装置。

IPC (3)：

H01L33/00 , H01L21/28 , H01L29/41

FI (4)：

H01L33/00 E , H01L33/00 C , H01L21/28 301B , H01L29/44 L

F-Term (24)：

4M104AA04 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB10 , 4M104CC01 , 4M104FF01 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104GG04 , 5F041AA04 , 5F041AA24 , 5F041AA42 , 5F041CA40 , 5F041CA85 , 5F041CA86 , 5F041CA87 , 5F041CA93 , 5F041CA99 , 5F041CB36 , 5F041DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

3-5族化合物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-073718 Applicant：住友化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313977 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-326329 Applicant：ローム株式会社

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