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J-GLOBAL ID：200903045082681166

無電解堆積のエンドポイントを検出するための装置および方法

Inventor： シャムガサンドラン, アルクマー ,  バイラン, マノーチャー ,  ファンチャーム, イアン, エー. ,  ロファティン, サージー
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (2)： 長谷川 芳樹 ,  山田 行一
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006527044
Publication number (International publication number)：2007505995
Application date： Sep. 17, 2004
Publication date： Mar. 15, 2007
Summary：

基板の表面に向けて電磁放射を方向付けて、該基板の該表面上の部材から反射された該電磁放射の強度の変化を1つ以上の波長で検出することによって無電解堆積プロセスをコントロールするための装置および方法。一実施形態において、該基板が検出機構に対して移動されると、無電解堆積プロセスステップの検出された終了が測定される。別の実施形態において、多数の検出ポイントが、該基板の該表面にわたる該堆積プロセスの状態を監視するために使用される。一実施形態において、該検出機構は該基板上で無電解堆積流体に浸される。一実施形態において、コントローラは、記憶されたプロセス値、異なる時間に収集されたデータの比較、および種々の算出された時間依存データを使用して無電解堆積プロセスを監視、記憶および/またはコントロールするために使用される。【選択図】 図2A

Claim (excerpt)：

無電解堆積プロセスを監視するための装置であって、 チャンバと、 基板受け取り表面を有する、前記チャンバに配置された基板サポートと、 前記基板受け取り表面に向けられた電磁放射源と、 無電解堆積プロセス中に前記基板受け取り表面に搭載された基板の表面から反射された電磁放射の強度を検出する検出器と、 前記検出器からの信号を受け取り、かつ前記無電解堆積プロセスをコントロールするように適合されたコントローラと、 を備える装置。

IPC (3)：

C23C 18/16 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/320

FI (3)：

C23C18/16 B ,  H01L21/288 E ,  H01L21/88 B

F-Term (57)：

4K022AA02 ,  4K022AA05 ,  4K022AA37 ,  4K022BA04 ,  4K022BA06 ,  4K022BA16 ,  4K022BA21 ,  4K022BA24 ,  4K022BA31 ,  4K022BA32 ,  4K022DA01 ,  4K022DB25 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD53 ,  4M104FF16 ,  4M104FF22 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033XX00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• めっき終点検出方法およびめっき装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-357498   Applicant：シャープ株式会社
• スペクトル干渉法を用いる膜厚制御
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-392867   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体ウェハのプロセスモニタリング装置およびその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-515284   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 異なる波長の光線を用いた終点検出
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-015854   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体装置の製造方法および製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-361912   Applicant：株式会社日立製作所
• 終点検出装置、終点検出方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-205357   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• メッキ成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-004160   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開平1-208500
  
• 特開平1-134953