Pat
J-GLOBAL ID:200903045301046781
不揮発性半導体メモリ及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001193518
Publication number (International publication number):2003007870
Application date: Jun. 26, 2001
Publication date: Jan. 10, 2003
Summary:
【要約】【課題】 不揮発性半導体メモリの微細化に伴う、配線の低抵抗化の困難性を緩和できる構造を持つ不揮発性半導体メモリを提供すること。【解決手段】 スタックゲート型のメモリセルトランジスタを有した不揮発性半導体メモリであって、メモリセルトランジスタの制御ゲートが、溝25に埋め込まれたメタル29を含んで構成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
スタックゲート型のメモリセルトランジスタを有した不揮発性半導体メモリであって、前記メモリセルトランジスタの制御ゲートが、溝に埋め込まれたメタルを含んで構成されていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
IPC (6):
H01L 21/8247
, H01L 21/3205
, H01L 21/76
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
FI (5):
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
, H01L 21/88 K
, H01L 21/88 Q
, H01L 21/76 L
F-Term (53):
5F032AA34
, 5F032AA44
, 5F032CA17
, 5F032CA23
, 5F032DA25
, 5F032DA80
, 5F033HH04
, 5F033HH11
, 5F033HH19
, 5F033JJ19
, 5F033KK01
, 5F033MM01
, 5F033MM05
, 5F033QQ08
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ16
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033QQ58
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033VV06
, 5F033VV16
, 5F033XX03
, 5F033XX10
, 5F083EP23
, 5F083EP25
, 5F083EP32
, 5F083EP76
, 5F083GA02
, 5F083GA09
, 5F083JA32
, 5F083JA39
, 5F083KA01
, 5F083MA06
, 5F083MA20
, 5F083NA01
, 5F083NA06
, 5F083PR43
, 5F083PR53
, 5F101BA07
, 5F101BA29
, 5F101BA36
, 5F101BB05
, 5F101BB08
, 5F101BD22
, 5F101BD36
, 5F101BH15
, 5F101BH19
, 5F101BH21
, 5F101BH23
, 5F101BH30
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-150241
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-301298
Applicant:富士通株式会社
-
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-068702
Applicant:株式会社東芝
-
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-291922
Applicant:松下電子工業株式会社
-
半導体デバイスの製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-590216
Applicant:コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
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