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J-GLOBAL ID：200903045505457047

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 岸村 眞治 ,  遠藤 政孝 ,  笹子 勝 ,  上田 充 ,  飯森 弘和 ,  福原 敏明
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004278203
Publication number (International publication number)：2005126693
Application date： Sep. 24, 2004
Publication date： May. 19, 2005
Summary：

【課題】波長が300nm帯以下の露光光に対する透過性に優れると共に、基板密着性及び現像溶解性に優れるレジスト材料を提供する。【解決手段】特定の化学構造からなる第1のユニット及び特定の化学構造からなる第2のユニットを含み且つ重量平均分子量が1000以上であって且つ500,000以下である高分子化合物。第1のユニットは側鎖にスルホンアミド基を有しているため、親水性が高く、波長が300nm帯以下である露光光に対して透過率が高い性質を提供する。レジスト膜に当該高分子化合物を用いた場合、基板密着性が高くなると共に、該レジスト膜は膨潤性が無くて現像溶解性に優れレジストパターンの形状が良好。また、第2のユニットは側鎖にベンゼン環を有しており、これがドライエッチング耐性の向上に寄与する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

[化1]の一般式で表される第1のユニット及び[化2]の一般式で表される第2のユニットを含み且つ重量平均分子量が1,000以上であって且つ500,000以下であることを特徴とする高分子化合物。

IPC (4)：

C08F212/14 ,  C08F228/02 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (4)：

C08F212/14 ,  C08F228/02 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

F-Term (38)：

2H025AA04 ,  2H025AA14 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL26R ,  4J100AP01P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA02R ,  4J100BA03Q ,  4J100BA04R ,  4J100BA05P ,  4J100BA05Q ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BA27P ,  4J100BA28P ,  4J100BA58P ,  4J100BB18P ,  4J100BB18Q ,  4J100BB18R ,  4J100BC09R ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA36 ,  4J100DA39 ,  4J100DA62 ,  4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 特公平2-27660号公報
  
• 特開昭63-27829号公報
  
• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-050264   Applicant：富士通株式会社
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-049956   Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• レジスト組成物およびその利用
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-063775   Applicant：日本ゼオン株式会社
• WO97/33198号公報
  
• パターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-036178   Applicant：松下電器産業株式会社
• エンジンの排気装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-045436   Applicant：株式会社クロススポーツレーシング

Cited by examiner (3)

• スルホンアミド化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-249503   Applicant：松下電器産業株式会社
• パターン形成材料及びパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-250215   Applicant：松下電器産業株式会社
• 水性ポリマーエマルジョン
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-035079   Applicant：花王株式会社