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J-GLOBAL ID：200903085218972897

パターン形成方法

Inventor：
岸村 眞治

About 岸村 眞治

, 
勝山 亜希子

About 勝山 亜希子

, 
笹子 勝

About 笹子 勝


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000036178
Publication number (International publication number)：2000330289
Application date： Feb. 15, 2000
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 露光光として1nm帯〜180nm帯の波長を持つ光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】 側鎖にスルフォン酸エステルを持つベース樹脂を有するレジスト材料を半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に対してマスク12を介して、157nm帯の波長を持つF2 エキシマレーザ13を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像液により現像してレジストパターン14を形成する。
Claim (excerpt)：
側鎖にスルフォニル基を持つベース樹脂を有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、1nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像液により現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/027
FI (6)：
G03F 7/039 601 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/20 502 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 515 B ,  H01L 21/30 531 S
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (26)
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