パターン形成方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：前田弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000036178
Publication number (International publication number)：2000330289
Application date： Feb. 15, 2000
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】露光光として1nm帯〜180nm帯の波長を持つ光を用いてレジストパターンを形成する場合に、良好なパターン形状が得られるようにする。【解決手段】側鎖にスルフォン酸エステルを持つベース樹脂を有するレジスト材料を半導体基板10の上に塗布してレジスト膜11を形成する。レジスト膜11に対してマスク12を介して、157nm帯の波長を持つF2 エキシマレーザ13を照射してパターン露光を行なった後、パターン露光されたレジスト膜11を現像液により現像してレジストパターン14を形成する。

Claim (excerpt)：

側鎖にスルフォニル基を持つベース樹脂を有するレジスト材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に、1nm帯〜180nm帯の波長を持つ露光光を照射してパターン露光を行なう工程と、パターン露光された前記レジスト膜を現像液により現像してレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/027 502 , G03F 7/20 502 , H01L 21/027

FI (6)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/027 502 , G03F 7/20 502 , H01L 21/30 502 R , H01L 21/30 515 B , H01L 21/30 531 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-273288 Applicant：松下電器産業株式会社
パタン形成方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法並びに感放射線組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-265744 Applicant：株式会社日立製作所, 日立化成工業株式会社
特開平4-025847

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