スルホンアミド化合物、高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (10)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004249503
Publication number (International publication number)：2005097595
Application date： Aug. 30, 2004
Publication date： Apr. 14, 2005
Summary：

【課題】波長が300nm帯以下の露光光に対する透過性に優れると共に、基板密着性及び現像溶解性に優れるレジスト材料を提供する。【解決手段】レジスト材料のベース樹脂は、[化3]の一般式で表わされるユニットよりなる。【化3】但し、R1、R2 及びR3 は、同種又は異種であって、水素原子、フッ素原子、炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキル基、分岐状若しくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基であり、R4 は、炭素数0以上で且つ20以下の直鎖状のアルキレン基又は分岐状若しくは環状のアルキレン基であり、R5 及びR6 は、同種又は異種であって、水素原子、炭素数1以上で且つ20以下の直鎖状のアルキル基、分岐状若しくは環状のアルキル基、フッ素化されたアルキル基、又は酸により脱離する保護基である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

[化1]の一般式で表わされることを特徴とするスルホンアミド化合物。

IPC (6)：

C08F28/02 , C07C43/303 , C07C69/653 , C07C311/03 , G03F7/039 , H01L21/027

FI (6)：

C08F28/02 , C07C43/303 , C07C69/653 , C07C311/03 , G03F7/039 601 , H01L21/30 502R

F-Term (32)：

2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB46 , 4J100AP01P , 4J100BA02P , 4J100BA03P , 4J100BA04P , 4J100BA05P , 4J100BA06P , 4J100BA15P , 4J100BA20P , 4J100BA59P , 4J100BB18P , 4J100BC03P , 4J100BC04P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC53P , 4J100BC60P , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特公平2-27660号公報
特開昭63-27829号公報
レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-050264 Applicant：富士通株式会社

Show all

Cited by examiner (5)

化粧料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-035080 Applicant：花王株式会社
特開昭57-153433
珪素含有高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-180392 Applicant：信越化学工業株式会社

Show all

Return to Previous Page