半導体発光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995229045
Publication number (International publication number)：1997074249
Application date： Sep. 06, 1995
Publication date： Mar. 18, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、結晶欠陥に起因する劣化を阻止し、信頼性の確保を図る。【解決手段】発光層(14,15)に接する少なくとも1つの界面には導電性酸化物(17)を設け、導電性酸化物が発光層に対してキャリア注入を行ない、且つ光閉込め又は発光取出しを行なう半導体発光装置。

Claim (excerpt)：

化合物半導体にて形成された発光層を具備してなる半導体発光装置において、前記発光層に接する少なくとも1つの界面には、前記発光層に対してキャリア注入を行ない、且つ光閉込め又は発光取出しが可能な導電性酸化物を具備してなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

半導体発光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-004719 Applicant：旭化成工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313977 Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-098621 Applicant：日亜化学工業株式会社

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