窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 西山雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005114405
Publication number (International publication number)：2006294907
Application date： Apr. 12, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】光取り出し効率に優れ、かつ良好な配光均一性を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。【解決手段】基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された発光素子において、光取出し面が透光性膜からなり、該透光性膜の表面が該基板面に対して傾斜した平面で構成される凹凸を有していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体が積層された発光素子において、光取出し面が透光性膜からなり、該透光性膜の表面が該基板面に対して傾斜した平面で構成される凹凸を有していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (10)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA82 , 5F041CA88 , 5F041CA92 , 5F041CA93

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特許第2803742号公報
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-366803 Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (5)

半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-010571 Applicant：株式会社東芝
窒化物半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-183048 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-366803 Applicant：株式会社東芝

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