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J-GLOBAL ID：200903061028667307

窒化物半導体発光素子

Inventor：
岡川 広明

About 岡川 広明

, 
平岡 晋

About 平岡 晋


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004311569
Publication number (International publication number)：2006128227
Application date： Oct. 26, 2004
Publication date： May. 18, 2006
Summary：
【課題】p側電極として透明導電層膜材料からなる透光性の電極を用いた窒化物半導体発光素子における光取り出し効率を改善し、発光効率が向上された窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とで発光層を挟んだpn接合ダイオード構造を、上記p型窒化物半導体層が上記第一の主面側となるように含む積層体と、上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、上記透光性の電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成されることを特徴とする。。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
第一の主面および第二の主面を有する窒化物半導体の積層体であって、n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層とで発光層を挟んだpn接合ダイオード構造を、そのp型窒化物半導体層側が上記第一の主面側となるように含む積層体と、 上記積層体の第一の主面を覆うように形成された透明導電膜材料からなる透光性の電極とを有し、 上記電極の表面には上記発光層で発生される光を散乱または回折する凹凸が形成された、窒化物半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (2)：
H01L33/00 E ,  H01L33/00 C
F-Term (11)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
  • 絶縁基板を有する発光ダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-156095   Applicant：晶元光電股ふん有限公司
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-343422   Applicant：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
  • 窒化ガリウム系化合物半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-358412   Applicant：酒井士郎, ナイトライド・セミコンダクター株式会社
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Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)
  • Extended Abstracts of the 2003 International Conference on Solid State Devices and Materials, 2003, pp.878-879

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