結晶基板およびGaN系結晶膜の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998135776
Publication number (International publication number)：1999329971
Application date： May. 18, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 GaN系半導体デバイスの結晶成長用に適し、欠陥密度の低い高品質のGaN系結晶連続膜を備えた結晶基板とその製造方法を提供する。【解決手段】本結晶基板には表面がC面のサファイア基板101上にGaNバッファ層102、エピタキシャル成長GaN層103、及びSiO2膜104が順次形成された基体10上に、複数の島状GaN系結晶11と、その上に形成されたGaN系結晶連続膜12とを備えている。GaN層103の表面に複数の開口部105を有するSiO2膜104を真空蒸着やCVD法で形成後、NH3とN2の混合雰囲気中でGaN粉末原料を昇華させ、基体上の該開口部105にGaN系化合物を選択再結晶化させることにより、複数の島状GaN系結晶11を得る第1の結晶成長工程と、該結晶11を核としてGaN系結晶を形成することにより、GaN系結晶連続膜12を得る第2の結晶成長工程とから成る。

Claim (excerpt)：

基体上に、複数の、昇華再結晶法により形成された島状のGaN系結晶と、その上に形成されたGaN系結晶連続膜とを有する、結晶基板。

IPC (2)：

H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/20 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-335255 Applicant：天野浩, 赤崎勇, パイオニア株式会社, 豊田合成株式会社
窒化物半導体単結晶層の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-022085 Applicant：日亜化学工業株式会社
特開平4-297023

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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