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J-GLOBAL ID：200903046239524708

化学増幅型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

Inventor： 藤原 匡之 ,  脇阪 幸也
Applicant, Patent owner： 三菱レイヨン株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999199097
Publication number (International publication number)：2001027806
Application date： Jul. 13, 1999
Publication date： Jan. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高いドライエッチング耐性を有するDUVエキシマレーザーリソグラフィーあるいは電子線リソグラフィーに好適な化学増幅型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 酸によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂および光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物において、多官能エポキシ化合物および/または多官能ビニルエーテル化合物を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

Claim (excerpt)：

酸によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂および光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物において、多官能エポキシ化合物および/または多官能ビニルエーテル化合物を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト組成物。

IPC (4)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/032 501 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/032 501 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 541 P ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 571

F-Term (28)：

2H025AA01 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025CB14 ,  2H025CB30 ,  2H025CB41 ,  2H025CC17 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA30 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA08 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA23 ,  5F046KA02 ,  5F046LA18 ,  5F056DA04 ,  5F056DA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• ポジ型レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-120919   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• 単量体、高分子化合物、感光性組成物、これを用いたパタン形成方法および電子部品の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-260926   Applicant：株式会社東芝
• マイクロレンズ形成用ポジ型感光材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-264819   Applicant：東ソー株式会社
• 感光性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-054398   Applicant：株式会社東芝
• パタン形成方法及び半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-091838   Applicant：株式会社日立製作所
• ネガ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-106629   Applicant：富士通株式会社