半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000044038
Publication number (International publication number)：2001237324
Application date： Feb. 22, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体装置に、信頼性の高いマルチゲート絶縁膜が、簡便で高精度に形成できるようにする。【解決手段】シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物をイオン注入等で導入した後、上記不純物を導入したシリコン基板の酸化(希釈酸化)、酸窒化あるいは再酸化を連続して行い、半導体チップ上で膜厚の異なる複数種のゲート絶縁膜を形成する。ここで、上記不純物としてハロゲンあるいは希ガスのイオンを用いる。また、イオン注入による不純物導入では、半導体チップ上の箇所で異なるドーズ量のイオンを注入し、このドーズ量に応じて絶縁膜の膜厚を変化させる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板表面に選択的に、熱酸化を増速させる不純物を導入する工程と、前記シリコン基板表面の酸化、酸窒化を連続して行う工程を含み、前記シリコン基板表面に膜厚の異なる複数種の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/265 , H01L 21/316 , H01L 21/318 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/316 S , H01L 21/318 A , H01L 27/08 102 C , H01L 21/265 W , H01L 29/78 301 G

F-Term (24)：

5F040DB01 , 5F040ED00 , 5F040ED03 , 5F040FC04 , 5F040FC15 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB11 , 5F048BB16 , 5F048BD04 , 5F048BG12 , 5F058BA20 , 5F058BC11 , 5F058BD16 , 5F058BF55 , 5F058BF60 , 5F058BF61 , 5F058BF62 , 5F058BF65 , 5F058BG03 , 5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

同一の半導体基板上に異なる厚さの酸化物を同時に作製する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-132185 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-143610 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-327608 Applicant：日本電気株式会社

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