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J-GLOBAL ID:200903046750872862

高SP3内容を有する第1炭素被膜と低SP3内容を有する第2炭素被膜とを含む磁気ディスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中村 稔 (外9名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001192251
Publication number (International publication number):2002063717
Application date: Jun. 26, 2001
Publication date: Feb. 28, 2002
Summary:
【要約】【課題】 炭素保護被膜を有する磁気ディスクにおいて、ディスク-ヘッド間の減摩システムに大きな影響を与えずに、改良された炭素保護被膜を形成する方法及びその改良された炭素保護被膜を有する磁気ディスクを提供する。【解決手段】 この磁気ディスクを製造する方法は、磁気ディスク上に第1及び第2保護炭素層を形成することを含む。第1保護炭素層はSP3優勢な炭素である。第2保護炭素層は約50%又はそれより少ないSP3炭素を含む。第2保護炭素層は、非常に薄く、例えば、0.1乃至1.0nmの厚さを有する。潤滑層(例えば、過フルオロポリエーテル潤滑剤)が第2保護炭素層に塗布される。第2保護炭素層はディスクと潤滑剤と間の改良された協働を促進する。
Claim (excerpt):
磁気ディスクを製造する方法であって、前記ディスク上に第1炭素層を堆積し、前記第1炭素層はSP3優勢な炭素を含み、前記ディスク上に第2炭素層を堆積し、前記第2炭素層は約60%又はそれ以下のSP3炭素を含み、第2炭素層のSP3内容は第1炭素層のSP3内容よりも少ない、各ステップを含む方法。
IPC (4):
G11B 5/84 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/72
FI (5):
G11B 5/84 B ,  G11B 5/84 C ,  C23C 14/34 N ,  C23C 16/26 ,  G11B 5/72
F-Term (26):
4K029AA02 ,  4K029AA09 ,  4K029BA34 ,  4K029BB02 ,  4K029BC01 ,  4K029BC02 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA06 ,  4K030FA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA01 ,  4K030LA20 ,  5D006AA02 ,  5D006AA05 ,  5D006AA06 ,  5D112AA07 ,  5D112BC05 ,  5D112FA01 ,  5D112JJ03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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