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J-GLOBAL ID：200903004650033540

III族窒化物エピタキシャル基板及びその使用方法

Inventor：
柴田 智彦

About 柴田 智彦

, 
中村 幸則

About 中村 幸則

, 
田中 光浩

About 田中 光浩


Applicant, Patent owner：
日本碍子株式会社

About 日本碍子株式会社


Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266804
Publication number (International publication number)：2002187800
Application date： Sep. 04, 2001
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】Al含有III族窒化物下地膜を具えるエピタキシャル基板において、前記下地膜の酸化を防止するとともに、このようにして酸化防止効果が付与されたエピタキシャル基板の使用方法を提供する。【解決手段】サファイア・SiCなどの単結晶材料からなる基材と、この基材上にエピタキシャル成長により形成された少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜と、このIII族窒化物下地膜上に形成された、好ましくは50Å以上の厚さを有するGaN膜とを具えたIII族窒化物エピタキシャル基板である。また、このIII族窒化物エピタキシャル基板上に、III族窒化物膜を形成する際においては、前記GaN膜の酸化した表面層部分をエッチング除去した後に、連続して実施する。
Claim (excerpt)：
単結晶材料からなる基材と、この基材上にエピタキシャル成長により形成された少なくともAlを含むIII族窒化物下地膜と、このIII族窒化物下地膜上に形成されたInaGabN膜(a+b=1)とを具えることを特徴とする、III族窒化物エピタキシャル基板。
IPC (3)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (30)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077FG01 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD16 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA01 ,  5F045HA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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