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J-GLOBAL ID：200903046882239352

表面処理方法及び該表面処理方法により表面処理された基材

Inventor： 福田 和浩 ,  末富 英一
Applicant, Patent owner： コニカミノルタホールディングス株式会社
Agent (1)： 荒船 博司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004089913
Publication number (International publication number)：2005272957
Application date： Mar. 25, 2004
Publication date： Oct. 06, 2005
Summary：

【課題】高速で処理でき基材等へのダメージを与えない表面処理方法を提供する。【解決手段】電子密度が1×1010〜1×1015cm-3であり、電子温度が0.5〜1.5eVであるプラズマを大気圧もしくはその近傍の圧力下で発生させて基材の表面処理を行う。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電子密度が1×1010〜1×1015cm-3であり、電子温度が0.5〜1.5eVであるプラズマを大気圧もしくはその近傍の圧力下で発生させて基材の表面処理を行う表面処理方法。

IPC (3)：

C23F4/00 ,  C23C16/34 ,  H05H1/24

FI (3)：

C23F4/00 A ,  C23C16/34 ,  H05H1/24

F-Term (23)：

4K030AA11 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA06 ,  4K030JA13 ,  4K030JA14 ,  4K030JA18 ,  4K057DA02 ,  4K057DA19 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE11 ,  4K057DE20 ,  4K057DG20 ,  4K057DM05 ,  4K057DM37 ,  4K057DM40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

• マイクロ波プラズマ処理装置、マイクロ波プラズマ処理方法及び構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-136011   Applicant：キヤノン株式会社
• マイクロ波プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び電子部品
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-129079   Applicant：キヤノン株式会社
• 堆積膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-103879   Applicant：キヤノン株式会社
• マイクロ波プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-000015   Applicant：キヤノン株式会社
• 堆積膜形成方法および堆積膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-256842   Applicant：キヤノン株式会社
• プラズマ処理装置及び構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-336572   Applicant：キヤノン株式会社