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J-GLOBAL ID：200903046940844318

蛍光体薄膜の製造方法

Inventor：
土屋 哲男

About 土屋 哲男

, 
中島 智彦

About 中島 智彦

, 
熊谷 俊弥

About 熊谷 俊弥


Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

About 独立行政法人産業技術総合研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007212153
Publication number (International publication number)：2008075073
Application date： Aug. 16, 2007
Publication date： Apr. 03, 2008
Summary：
【課題】ガラスやシリコン基板上に結晶化したペロブスカイト関連Ti,Zr酸化物薄膜の形成を可能にし、性能が高い蛍光体薄膜材料の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に形成されたABO3, A2BO4、A3B2O7の(ただしA,B,Oサイトには欠損があってもよい。)金属組成式で表され、AがCa, Sr, Ba, BがTi, Zr,より選ばれる元素を少なくとも一つずつ用いた酸化物にCe, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Luが少なくとも一つ添加され、またこれに加えてAl, Ga, Inのうち一つ以上が添加されていてもよい有機金属薄膜または金属酸化物膜に室温で紫外ランプを照射後、400°C以下の温度に保持し紫外レーザを照射する。結晶化後、膜を酸化処理することを特徴とする蛍光体薄膜の製造方法。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
AがCa, Sr, Baより選ばれるアルカリ土類金属元素であり、 BがTi, Zr,より選ばれる金属元素であり、ABO3, A2BO4、A3B2O7の組成式で表される金属酸化物に、Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Luからなる群れより選ばれる元素を少なくとも一つ添加した金属酸化物、又は当該金属酸化物を形成することができる有機金属塩の薄膜を基板上に形成し、25〜500°Cの温度に保持し、基板上の金属酸化物、又は有機金属塩の薄膜に紫外レーザを照射しつつ、結晶化を行うことにより、基板上に金属酸化物形成することを特徴とする金属酸化物蛍光体薄膜の製造方法。
IPC (3)：
C09K 11/67 ,  C09K 11/08 ,  H01S 3/00
FI (4)：
C09K11/67 ,  C09K11/08 A ,  H01S3/00 B ,  C09K11/08 B
F-Term (28)：
4G047CA06 ,  4G047CA07 ,  4G047CB06 ,  4G047CC03 ,  4G047CD02 ,  4H001CA04 ,  4H001CF01 ,  4H001XA08 ,  4H001XA20 ,  4H001XA22 ,  4H001XA38 ,  4H001XA40 ,  4H001XA56 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA60 ,  4H001YA62 ,  4H001YA63 ,  4H001YA64 ,  4H001YA65 ,  4H001YA66 ,  4H001YA67 ,  4H001YA68 ,  4H001YA69 ,  4H001YA70 ,  4H001YA71 ,  5F172AD06 ,  5F172ZZ02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (2)
Article cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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