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J-GLOBAL ID：200903047190525610

半導体装置

Inventor： 原 寿樹
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005260317
Publication number (International publication number)：2007073800
Application date： Sep. 08, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】 半導体チップを折り曲げることにより、Pチャネル電界効果型トランジスタとNチャネル電界効果型トランジスタの移動度を同時に向上させる。 【解決手段】 <110>方向に沿って凹状に折り曲げられた(100)基板11には、<110>方向に沿って(100)基板11の折り曲げ方向と平行にチャネルが配置されたPチャネル電界効果型トランジスタが形成されるとともに、<110>方向に沿って(100)基板11の折り曲げ方向と平行にチャネルが配置されたNチャネル電界効果型トランジスタが形成され、Nチャネル電界効果型トランジスタ上には、(100)基板11の折り曲げによる圧縮応力よりも大きな引っ張り応力F1 ́を印加するゲートキャップ膜15が形成されている。 【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

<110>方向に沿って凹状に折り曲げられた(100)基板と、 前記(100)基板上に<110>方向に沿って前記(100)基板の折り曲げ方向と平行にチャネルが配置されたPチャネル電界効果型トランジスタと、 前記(100)基板上に<110>方向に沿って前記(100)基板の折り曲げ方向と平行にチャネルが配置されたNチャネル電界効果型トランジスタと、 前記Nチャネル電界効果型トランジスタ上に形成され、前記(100)基板の折り曲げによる圧縮応力よりも大きな引っ張り応力を印加するゲートキャップ膜とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 21/823 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L27/08 321B ,  H01L29/78 301Q ,  H01L29/78 618Z

F-Term (76)：

5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BA19 ,  5F048BB05 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BD06 ,  5F048DA23 ,  5F110AA01 ,  5F110BB01 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD21 ,  5F110EE09 ,  5F110EE32 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK08 ,  5F110HK32 ,  5F110HM02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN05 ,  5F110NN24 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN66 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F140AA01 ,  5F140AB03 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA00 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA03 ,  5F140BA05 ,  5F140BA06 ,  5F140BA07 ,  5F140BA08 ,  5F140BA10 ,  5F140BA20 ,  5F140BB01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG28 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH00 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CC08 ,  5F140CD06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電子デバイスの製造方法、電子デバイスおよび電子デバイス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-031576   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (6)

• 半導体集積回路および半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-060843   Applicant：株式会社東芝
• <110>方位のシリコン表面上に形成された半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-307899   Applicant：大見忠弘
• 応力チャネルを有する電界効果トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-396240   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 電子デバイスの製造方法、電子デバイスおよび電子デバイス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-031576   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-342667   Applicant：株式会社日立製作所
• Si:CおよびSiGeエピタキシャル成長ソース/ドレインを用いた高性能で応力が向上されたMOSFETおよび製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2006-536715   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション