Pat
J-GLOBAL ID：200903047413567965

窒化物半導体発光素子

Inventor：
小牧 稔生

About 小牧 稔生


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999213606
Publication number (International publication number)：2001044498
Application date： Jul. 28, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：
【要約】【課題】 製造時(フリップチップボンディング時)において電極間の短絡を効果的に防止できる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 透光性基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上に互いに分離されて設けられたn電極とp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層の一部に設けられたp電極と、n電極及びp電極の各上面の開口部分を除き各半導体層及び各電極を覆うように設けられた絶縁保護膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、p電極上の開口部分外側の絶縁保護膜上にp電極と導通する第1導体を形成し、n電極上の開口部分外側の絶縁保護膜上にn電極と導通する第2導体を形成した。
Claim (excerpt)：
透光性基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に互いに分離されて設けられたn電極とp型窒化物半導体層と、上記p型窒化物半導体層の一部に設けられたp電極と、上記n電極及びp電極の各上面の開口部分を除き上記各半導体層及び上記各電極を覆うように設けられた絶縁保護膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、上記p電極上の上記開口部分外側の上記絶縁保護膜上に上記p電極と導通する第1導体を形成し、上記n電極上の上記開口部分外側の上記絶縁保護膜上に上記n電極と導通する第2導体を形成したことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 N
F-Term (5)：
5F041AA25 ,  5F041AA43 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041DA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM