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J-GLOBAL ID：200903029147163170

窒化物半導体素子

Inventor：
豊田 達憲

About 豊田 達憲

, 
高岡 美和

About 高岡 美和


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997256317
Publication number (International publication number)：1999097742
Application date： Sep. 22, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 突き上げピンによる窒化物半導体面の傷及び絶縁膜の割れを防止し、短絡不良が発生しない信頼性の高い窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 基板11上に積層形成されたn型層12及びp型層13と、p型層13上のほぼ全面に設けられたp電極15と、前記p型層13側から上記n型層12に達する第一の凹部と、第一の凹部に露出したn型層12上に設けられたn電極14と、前記p型側13から上記基板11に達する第二の凹部とを有し、p電極15及びn電極14の各ボンディング面を除いてp電極15及びn電極14から第二の凹部まで連続して絶縁膜18が形成されてなり、発光観測面を基板側とし、絶縁膜18上にポリイミド系薄膜60が積層形成されている。
Claim (excerpt)：
基板と、基板上に少なくとも順に積層形成されたn型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層上のほぼ全面に設けられたp電極と、前記p型窒化物半導体層側から上記n型窒化物半導体層に達する第一の凹部と、該第一の凹部に露出したn型窒化物半導体層上に設けられたn電極と、前記p型窒化物半導体層側から上記基板に達する第二の凹部とを有し、p電極及びn電極の各ボンディング面を除いてp電極及びn電極から第二の凹部まで連続して絶縁膜が形成されてなり、発光観測面を基板側とした窒化物半導体素子であって、前記絶縁膜上にポリイミド系薄膜が積層形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 N ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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