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J-GLOBAL ID：200903078423551989

窒化物半導体素子

Inventor： 豊田 達憲 ,  中河 義典 ,  楠瀬 健
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997331022
Publication number (International publication number)：1999150300
Application date： Nov. 14, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 発光層(又は受光層)に均一に電流を注入することができ、発光効率(又は受光効率)を高くできる窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 基板上に形成されたn型窒化物半導体からなる第1半導体層と、該第1半導体層上に動作領域を介して形成されたp型窒化物半導体からなる第2半導体層と、第2半導体層上に形成された正電極と、第2半導体層の一部を除去して露出させた第1半導体層の表面に形成された負電極とを備えた窒化物半導体素子であって、負電極が形成される第1半導体層の表面は、第1半導体層の少なくとも一部の外周側面と連続するように露出されており、かつ負電極が第1半導体層の露出させた表面と該表面に連続する外周側面とに連続して形成されている。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたn型窒化物半導体からなる第1半導体層と、該第1半導体層上に動作領域を介して形成されたp型窒化物半導体からなる第2半導体層と、上記第2半導体層上に形成された正電極と、上記第2半導体層の一部を除去して露出させた上記第1半導体層の表面に形成された負電極とを備えた窒化物半導体素子であって、上記負電極が形成される上記第1半導体層の表面は、上記第1半導体層の少なくとも一部の外周側面と連続するように露出されており、かつ上記負電極が上記第1半導体層の露出させた表面と該表面に連続する上記外周側面とに連続して形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-010507   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-194224   Applicant：ローム株式会社
• 半導体発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-064066   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-305257   Applicant：旭化成工業株式会社
• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-253901   Applicant：三洋電機株式会社
• 発光素子と発光素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-284073   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-201306   Applicant：豊田合成株式会社