GaN系半導体素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高島一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998343405
Publication number (International publication number)：2000174334
Application date： Dec. 02, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：

【要約】【課題】スクライブ・ブレーキングによって分断を行う際の割れを制御し、GaN系結晶層の分断面の品質をより向上させることができるGaN系半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】ベース基板1の一方の面上に、マスク領域aと非マスク領域bとを形成するようにマスク層Mを設ける。マスク領域aは、非マスク領域bで挟まれた帯状部を少なくとも有するものとし、マスク層の材料は、それ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料とする。非マスク領域を結晶成長の出発面としてマスク層を覆うまでGaN系結晶層を成長させ、さらに素子を構成する層を積層して積層構造体とする。前記帯状部のマスク層上に形成されている結晶の合流部dに沿って積層構造体が割れるようにスクライブ・ブレーキングを行い、積層構造体を分断する。即ち、マスク法とスクライブ・ブレーキングとが互いに関連付けられた、成長と分断を含む方法である。

Claim (excerpt)：

GaN系結晶が成長可能なベース基板の一方の面上に、マスク領域と非マスク領域とを形成するようにマスク層を設け、前記マスク領域は、非マスク領域で挟まれた帯状部を少なくとも有し、マスク層の材料は、それ自身の表面からは実質的にGaN系結晶が成長し得ない材料であり、非マスク領域を結晶成長の出発面としてマスク層を覆うまでGaN系結晶層を成長させて、ベース基板を含む積層構造体とし、またはさらにGaN系半導体素子を構成する層を積層して、ベース基板を含む積層構造体とし、前記帯状部のマスク層上に形成されている結晶の合流部に沿って積層構造体が割れるようにスクライブ・ブレーキングを行い、積層構造体を分断する工程を有することを特徴とするGaN系半導体素子の製造方法。

F-Term (10)：

5F041AA41 , 5F041CA04 , 5F041CA23 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

半導体レーザ装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-233866 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-035638 Applicant：シャープ株式会社
半導体素子および半導体レーザならびにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-208454 Applicant：ソニー株式会社

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