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J-GLOBAL ID：200903047766812513

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
門島 勝

About 門島 勝


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003082174
Publication number (International publication number)：2004289061
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：
【課題】熱的安定性がある一方、密着性が悪くならない程度の仕事関数を有する金属膜または金属化合物よりなる膜をゲート電極として使用した場合に、しきい値電圧を低く抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】n型MIS素子とp型MIS素子を備えるCMIS素子において、n型MIS素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜9上にケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極10を形成する。一方、p型MIS素子には、ハフニウムアルミネート膜よりなるゲート絶縁膜9上に、酸化アルミニウム膜よりなるしきい値調整膜7を形成する。そして、このしきい値調整膜7上に、ケイ窒化タンタル膜よりなるゲート電極11を形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
(a)半導体基板と、 (b)前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 (c)前記ゲート絶縁膜上に形成された絶縁体よりなる膜であって、しきい値電圧を調整するしきい値調整膜と、 (d)前記しきい値調整膜上に形成され、金属を含む材料よりなるゲート電極とを備えたMIS素子を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (6)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (6)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301T ,  H01L27/08 321D ,  H01L27/08 321F ,  H01L29/58 G
F-Term (104)：
4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB24 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB29 ,  4M104BB31 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD26 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD75 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09 ,  4M104HH12 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF06 ,  5F140BF07 ,  5F140BF08 ,  5F140BF10 ,  5F140BG02 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BG44 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BG56 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK30 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB01 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC12 ,  5F140CE07 ,  5F140CE18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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