成膜方法及び成膜装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (2)：梶良之 , 須原誠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004122834
Publication number (International publication number)：2005307238
Application date： Apr. 19, 2004
Publication date： Nov. 04, 2005
Summary：

【課題】ガラス基板等にSiO2 膜、ITO膜(透明導電膜)、SnO2膜(ATO,FTO)等を形成する成膜方法及び成膜装置に係り、成膜する表面が比較的広く、効率良く、安価に成膜することのできる成膜方法及び成膜装置を提供すること。【解決手段】基板を成膜室に配置して前記基板表面に沿う方向に原料ガスを流動させることにより基板の表面に膜を生成する化学的気相成膜方法であって、前記基板の表面と成膜室の内壁との距離を約0.1mm以上約10.0mm以下の範囲内の所定の距離とし、約0.4m/sec以上約4.0m/sec以下の範囲内の所定の速度で前記基板表面上に原料ガスを流す化学的気相成膜方法。及び、その成膜装置。【選択図】図1A

Claim (excerpt)：

基板を成膜室に配置して前記基板表面に沿う方向に原料ガスを流動させることにより基板の表面に膜を生成する化学的気相成膜方法であって、前記基板の表面と成膜室の内壁との距離を約0.1mm以上約10.0mm以下の範囲内の所定の距離とし、約0.4m/sec以上約4.0m/sec以下の範囲内の所定の速度で前記基板表面上に原料ガスを流す化学的気相成膜方法。

IPC (5)：

C23C16/455 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/316 , H01L21/365

FI (5)：

C23C16/455 , H01L21/28 301R , H01L21/285 C , H01L21/316 B , H01L21/365

F-Term (20)：

4K030BA11 , 4K030BA16 , 4K030BA42 , 4K030BA44 , 4K030BA45 , 4K030EA03 , 4K030FA10 , 4K030JA03 , 4K030JA05 , 4K030JA12 , 4K030KA02 , 4M104BB36 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 5F045AA03 , 5F045AB22 , 5F045DP04 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-331721 Applicant：日亜化学工業株式会社
成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-175428 Applicant：日本曹達株式会社
成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-175430 Applicant：日本曹達株式会社

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気相成長方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-284234 Applicant：信越半導体株式会社
半導体処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-232994 Applicant：株式会社日立製作所
CVD装置
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