有機薄膜トランジスタ素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002329505
Publication number (International publication number)：2004165427
Application date： Nov. 13, 2002
Publication date： Jun. 10, 2004
Summary：

【課題】機械的強度に優れ、且つトランジスタ性能に優れた有機薄膜トランジスタ素子を提供する。【解決手段】ゲート絶縁層に接して、ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、互いに相溶性を有さない2以上の有機半導体層で構成される有機薄膜トランジスタ素子。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

ゲート絶縁層に接して、ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、互いに相溶性を有さない2以上の有機半導体層で構成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子。

IPC (2)：

H01L29/786 , H01L51/00

FI (3)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 618E , H01L29/28

F-Term (40)：

5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF30 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG51 , 5F110GG52 , 5F110GG53 , 5F110GG54 , 5F110GG55 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-255669
光・電子機能材料およびその薄膜の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-061839 Applicant：三菱電機株式会社
有機半導体薄膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-324201 Applicant：旭化成株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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