半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999356467
Publication number (International publication number)：2001177074
Application date： Dec. 15, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 DRAMの局所配線において、多結晶シリコンプラグまたはシリコン基板との接続部分の耐熱性を向上し、その後の熱工程における接続部分の接続抵抗の増加を抑制する。【解決手段】プラグ19または不純物半導体領域14,15と接する第1チタンシリサイド膜18a1 に20原子%以上の窒素を含有させることにより、第1チタンシリサイド膜18a1 界面でのシリサイド化反応を抑える。

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面に形成されたメモリセル選択用の第1MISFETおよび周辺回路用の第2MISFETと、前記第1MISFETの一方のソース、ドレインを構成する半導体領域上の第1絶縁膜に形成された多結晶シリコンプラグと、前記第1絶縁膜上の第2絶縁膜に開孔された第1接続孔を介して前記多結晶シリコンプラグに電気的に接続された前記第2絶縁膜上のビット線と、前記第1および第2絶縁膜の第2接続孔を介して前記第2MISFETのソース、ドレインを構成する半導体領域に電気的に接続された前記第2絶縁膜上の第1層配線とを有する半導体集積回路装置であって、前記ビット線または前記第1層配線の最下層は、20原子%以上の窒素を含んだ第1チタンナイトライド膜で構成されることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (6)：

H01L 21/28 301 R , H01L 27/10 621 C , H01L 21/88 R , H01L 21/90 C , H01L 27/10 651 , H01L 27/10 681 F

F-Term (86)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB30 , 4M104BB38 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD42 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104DD86 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 4M104HH04 , 4M104HH05 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033LL10 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN40 , 5F033PP16 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ16 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ78 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR14 , 5F033SS01 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033SS22 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033WW04 , 5F033XX29 , 5F083AD10 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083GA25 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083KA05 , 5F083KA17 , 5F083KA20 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR06 , 5F083PR10 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR40 , 5F083PR43 , 5F083PR44 , 5F083PR46 , 5F083PR53 , 5F083PR54 , 5F083PR56 , 5F083ZA01 , 5F083ZA06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-311412 Applicant：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-153822 Applicant：株式会社日立製作所
LSIのオーミックコンタクト部形成方法およびLSI
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-359885 Applicant：日立金属株式会社, 沖電気工業株式会社

Show all

Return to Previous Page