逆スタガ型薄膜トランジスタおよびその製造方法と、それを用いた液晶表示装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：原謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995295801
Publication number (International publication number)：1997139503
Application date： Nov. 14, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】チャネル長を短くすると共に、リーク電流の発生しにくい、完全自己整合したTFTを得る。TFTの製造工程をシリサイドを用いずに短くする。【解決手段】ガラス基板1上にTa薄膜を形成し、パターニングしてゲート電極2を形成する。次に、Ta2 O5 絶縁膜3を形成し、続いて、Si3 N4 のゲート絶縁膜4、i型微結晶シリコン5、およびSi3 N4 のチャネル保護膜6の3層をプラズマCVD装置により、この順で積層する。その後、チャネル保護膜6上にフォトレジスト7を塗布し、ゲート側よりゲートをマスクとして裏面露光を行いゲート電極2と自己整合したフォトレジスト7を残す。次に、上記フォトレジスト7をマスクとしてi型微結晶シリコン5にPH3 をイオンドーピングし、n+型微結晶シリコン8を形成する。その後ソース・ドレイン電極9a、9bを形成し、逆スタガ型TFTを得る。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されたゲート電極と、該ゲート電極を覆うように形成された第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に形成された島状の半導体層と、該半導体層の上に形成され上記ゲート電極と少なくともチャネル幅方向がほぼ同一かつ一致している第2の絶縁膜と、ソース・ドレイン電極とからなる逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、上記の半導体層の少なくとも膜厚方向の一部分が微結晶半導体であり、該半導体層の上記の第2の絶縁膜の真下を除いた微結晶半導体部分に不純物を含むソース・ドレイン領域を備えていることを特徴とする逆スタガ型薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , G02F 1/136 500 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 618 E , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 617 U , H01L 29/78 618 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-132231
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-058479 Applicant：松下電器産業株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-331618 Applicant：シャープ株式会社

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