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J-GLOBAL ID:200903024634027523

基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中島 淳 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001196560
Publication number (International publication number):2003016857
Application date: Jun. 28, 2001
Publication date: Jan. 17, 2003
Summary:
【要約】【課題】 低温でかつ簡便な工程により透明導電膜を低抵抗化する方法、特に、プラスチック基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法を提供すること。【解決手段】 基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
Claim (excerpt):
基材の上に設けた酸化物透明導電膜を、真空下あるいは還元性ガス雰囲気下において、25°C以上で300°C以下の温度に維持しながら、前記薄膜に紫外線を照射する処理工程を有する、基材上に設けた透明導電膜を低抵抗化する方法。
IPC (4):
H01B 13/00 503 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 31/04
FI (5):
H01B 13/00 503 B ,  C23C 14/58 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 H
F-Term (34):
4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BB10 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029CA04 ,  4K029CA06 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F033GG04 ,  5F033HH38 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP20 ,  5F033QQ53 ,  5F033QQ73 ,  5F033WW03 ,  5F033XX10 ,  5F051CA12 ,  5F051CA13 ,  5F051CB14 ,  5F051CB15 ,  5F051CB27 ,  5F051CB29 ,  5F051CB30 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA24 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (11)
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