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J-GLOBAL ID：200903049940243364

半導体装置の製造方法及び製造装置

Inventor： 大音 光市
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999343510
Publication number (International publication number)：2001160558
Application date： Dec. 02, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の製造において、Cu配線上に密着性が良好で、Cuの凝集等が起こらない層間絶縁膜を形成するための成膜方法を提供する。【解決手段】 Cu上にCVD法により絶縁膜を成膜する際、Cuと絶縁膜との密着性を向上させるためのシリコン基板5の前処理を、絶縁膜成膜と同一成膜室1で、かつ、成膜温度よりも低い温度で行なう工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

Cu上にCVD法により絶縁膜を成膜する際、Cuと絶縁膜との密着性を向上させるための前処理を、300°C以下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/314 A ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 K

F-Term (41)：

5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033SS15 ,  5F033WW03 ,  5F033XX00 ,  5F033XX14 ,  5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD08 ,  5F045AF03 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045BB17 ,  5F045CB04 ,  5F045CB05 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14 ,  5F045EK07 ,  5F045HA03 ,  5F045HA22 ,  5F058BA10 ,  5F058BC08 ,  5F058BC20 ,  5F058BE04 ,  5F058BE10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF30 ,  5F058BG03 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-191804   Applicant：富士通株式会社
• 膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-122182   Applicant：ソニー株式会社
• 絶縁膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-153855   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-326106   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-122321   Applicant：日本電気株式会社
• シリコンウエハ上の窒化膜形成方法及びシリコンウエハのエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-310134   Applicant：株式会社デンソー