プラズマ処理装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997066095
Publication number (International publication number)：1998261621
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】処理室内の処理ガスの分解の状態を制御する、つまり処理室内のラジカルの状態を制御する手段と、処理室の側壁部の壁面の状態を制御する手段を提供する。【解決手段】アンテナ11により電極2が生成するのとは異なる電子温度を持つプラズマと異なる成分比のラジカルを生成することにより処理室9内部のラジカルの成分を制御する。また、アンテナ11により側壁部6の近傍にプラズマを生成することにより側壁部の壁面の状態を制御する。【効果】処理室内のラジカルの成分を制御することにより半導体デバイスなどの処理対象物の加工レートや加工形状といった微細加工の性能を上げることが出来る。また、処理室の側壁部の近傍に生成したプラズマにより壁面状態を制御することにより微細加工の性能を上げることが出来る。

Claim (excerpt)：

処理チャンバと、該処理チャンバに処理ガスを供給する手段と、前記処理チャンバを真空に保つ排気手段と、前記処理チャンバ中に処理対象物を固定する支持台と、前記処理チャンバ中にプラズマを発生するために電気エネルギを加える電極とを有し、前記処理チャンバ内部に前記電極と前記支持台とで間隙を形成しているプラズマ処理装置において、前記処理チャンバ中に電気エネルギを発生するアンテナを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205 , H05H 1/46 , C23C 16/50

FI (4)：

H01L 21/302 B , H01L 21/205 , H05H 1/46 M , C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-003366 Applicant：松下電器産業株式会社
プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-122869 Applicant：日本真空技術株式会社
プラズマを用いた基体処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237048 Applicant：株式会社東芝

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Cited by examiner (8)

プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-003366 Applicant：松下電器産業株式会社
プラズマ処理方法及び装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-122869 Applicant：日本真空技術株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-048288 Applicant：株式会社日立製作所

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