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J-GLOBAL ID:200903050651695956

レ-ザ-光の照射方法及び半導体装置の作製方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999230157
Publication number (International publication number):2000052079
Application date: Mar. 04, 1997
Publication date: Feb. 22, 2000
Summary:
【要約】【課題】 レーザー光の照射によるアニールの均一性を向上させる。【解決手段】 被照射面に対して線状もしくは方形状のビーム形状を有するレーザー光を照射する装置に関して、レーザー装置より放出された原ビームを2つのシリンドリカルレンズ4、5を通過させることにより、原ビームの光強度の分布の偏りを分散せしめる原理を有するホモジナイザーにおいて、前記シリンドリカルレンズ4、5は、いずれも、その方向が、ビームの移動方向と平行でないことを特徴とする。
Claim (excerpt):
線状又は方形状のレーザー光を照射する方法において、前記線状又は方形状のレーザー光を発生するレーザー照射装置は少なくとも1つの多シリンドリカルレンズを含むホモジナイザーを有し、前記多シリンドリカルレンズは複数のシリンドリカルレンズでなり、前記多シリンドリカルレンズの方向は前記レーザー光の移動方向と平行でないことを特徴とするレーザー光の照射方法。
IPC (5):
B23K 26/06 ,  B23K 26/00 ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/027
FI (5):
B23K 26/06 E ,  B23K 26/00 E ,  G03F 7/20 505 ,  H01L 21/268 J ,  H01L 21/30 527
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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