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J-GLOBAL ID:200903051685340746
III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (7):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007176099
Publication number (International publication number):2009016531
Application date: Jul. 04, 2007
Publication date: Jan. 22, 2009
Summary:
【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なIII族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたIII族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。【解決手段】基板11上に、少なくともIII族窒化物化合物からなる中間層12が積層され、該中間層12上に、下地層14aを備えるn型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16が順次積層されてなるIII族窒化物半導体発光素子であり、中間層12の結晶組織中には、中間層12のX線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が720arcsec以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層12の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層12の面積比で30%以下とされている。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板上に、少なくともIII族窒化物化合物からなる中間層が積層され、該中間層上に、下地層を備えるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が順次積層されてなるIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記中間層の結晶組織中には、前記中間層のX線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が720arcsec以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、前記ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、
前記中間層の結晶組織における前記無配向成分の割合が、前記中間層の面積比で30%以下とされていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (5):
H01L 33/00
, H01S 5/323
, H01L 21/203
, C23C 14/06
, C23C 16/34
FI (5):
H01L33/00 C
, H01S5/323 610
, H01L21/203 S
, C23C14/06 A
, C23C16/34
F-Term (58):
4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BB09
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029DA08
, 4K029DC03
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029DC45
, 4K029EA01
, 4K029EA08
, 4K029FA05
, 4K029GA00
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA17
, 4K030BA38
, 4K030CA05
, 4K030CA17
, 4K030FA10
, 4K030HA04
, 4K030JA10
, 5F041AA03
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA23
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA67
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CB11
, 5F041FF11
, 5F103AA08
, 5F103DD01
, 5F103GG01
, 5F103HH04
, 5F103LL02
, 5F103LL03
, 5F103NN10
, 5F103PP01
, 5F103RR05
, 5F173AG11
, 5F173AG14
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP05
, 5F173AQ04
, 5F173AQ12
, 5F173AQ13
, 5F173AQ14
, 5F173AQ15
, 5F173AR84
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
特許第3026087号公報
-
特開平4-297023号公報
-
特公平5-86646号公報
-
特許第3440873号公報
-
特許第3700492号公報
-
窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-094484
Applicant:豊田合成株式会社, 新技術事業団
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Cited by examiner (6)
-
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-121692
Applicant:豊田合成株式会社
-
成膜方法、前処理方法および成膜システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-113373
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
窒化層を有するサファイア基板およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-139593
Applicant:京セラ株式会社
-
半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-153043
Applicant:豊田合成株式会社
-
スパッタ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-383004
Applicant:シャープ株式会社
-
III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法並びににIII族窒化物半導体発光素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2005-250185
Applicant:国立大学法人徳島大学, 三星電機株式会社
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