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J-GLOBAL ID:200903051694062252

付活剤を含有した基板を用いた窒化物半導体素子、及び成長方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002315629
Publication number (International publication number):2003204079
Application date: Oct. 30, 2002
Publication date: Jul. 18, 2003
Summary:
【要約】【課題】任意の色の発光が可能な発光素子であって、色ムラを抑制した均一光源を得ることを目的とする。また、均一光の取り出し効率の向上も課題とする。【解決手段】付活剤を含有した基板に凹凸を形成し、この基板上に発光層を有するInxAlyGa1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)から成る窒化物半導体素子を成長させる。この時、基板は(111)面を主面とするY3Al5O12基板、LSAT基板、又は(0001)面を主面とするサファイア基板等である。付活剤としてCe、Tb、Eu等がある。前記基板の凹凸形成はテーパー角をつける。
Claim (excerpt):
Ce、Tb、Eu、Ba、Sr、Mg、Ca、Zn、Si、Cu、Ag、Au、Fe、Cr、Pr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選ばれる少なくとも一種を付活剤として含有する基板であって、該基板には凹凸を有し、凹凸面上には窒化物半導体を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
IPC (6):
H01L 33/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/62 CQF ,  C09K 11/64 CPM ,  C09K 11/78 CQB ,  C09K 11/80 CPB
FI (6):
H01L 33/00 C ,  C09K 11/08 J ,  C09K 11/62 CQF ,  C09K 11/64 CPM ,  C09K 11/78 CQB ,  C09K 11/80 CPB
F-Term (50):
4H001CA05 ,  4H001XA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA08 ,  4H001XA13 ,  4H001XA21 ,  4H001XA31 ,  4H001XA38 ,  4H001XA39 ,  4H001XA49 ,  4H001XA57 ,  4H001XA62 ,  4H001XA64 ,  4H001XA71 ,  4H001XA73 ,  4H001XA81 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA20 ,  4H001YA22 ,  4H001YA24 ,  4H001YA26 ,  4H001YA27 ,  4H001YA28 ,  4H001YA29 ,  4H001YA30 ,  4H001YA38 ,  4H001YA47 ,  4H001YA56 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA60 ,  4H001YA63 ,  4H001YA65 ,  4H001YA66 ,  4H001YA79 ,  5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041AA11 ,  5F041CA03 ,  5F041CA13 ,  5F041CA33 ,  5F041CA46 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA63 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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