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J-GLOBAL ID：200903051962835570

窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法、窒化物系III-V族化合物結晶基板、窒化物系III-V族化合物膜およびデバイスの製造方法

Inventor：
森田 悦男

About 森田 悦男


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999341637
Publication number (International publication number)：2001158698
Application date： Dec. 01, 1999
Publication date： Jun. 12, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】製造が簡単で貫通転位の無い窒化物系III-V族化合物の結晶基板及び結晶膜、それらの製造方法、及びそれらを用いたデバイスの製造方法の提供。【課題手段】基体11表面に、GaN等の窒化物系III-V族化合物をMOCVD法等で成長させて下地結晶層12を形成し、その表面にSiO2等の第1のマスクパターン13を形成する。下地結晶層表面の第1のマスクパターンに覆われていない面には、GaN等をさらに成長させて中間結晶層14を形成し、その表面には、SiO2等の第2のマスクパターン15を形成する。中間結晶層表面の第2のマスクパターンに覆わていない面には、GaN等をさらに成長させて表面結晶層16を形成する。第1及び第2のマスクパターンは、一定間隔を開けて配列されたストライプであって、その配列周期が互いに異なり、一部では結晶層の厚さ方向に重なり合い、一部では重なり合わない。
Claim (excerpt)：
基体の表面に、窒化物系III-V族化合物の結晶を所定の厚さに成長させる成長工程を含む窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法であって、前記成長工程において、前記結晶の厚さ方向における互いに異なる箇所に、複数のパターンを形成するようにし、前記複数のパターンを、少なくとも一部では前記厚さ方向に互いに重なり合い、少なくとも一部では前記厚さ方向に互いに重なり合わないようにしたことを特徴とする窒化物系III-V族化合物の結晶製造方法。
IPC (4)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (4)：
C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (42)：
4G077AA03 ,  4G077BB03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE14 ,  4G077BE15 ,  4G077DA05 ,  4G077DA11 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF04 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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