プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小栗昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001381487
Publication number (International publication number)：2003068724
Application date： Dec. 14, 2001
Publication date： Mar. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理において、異常放電の発生を防止し、安定したプラズマ処理を提供する。また、開口率の大きいシールド板を提供する。【解決手段】本発明のプラズマ処理方法においては、真空容器とこの真空容器へのガス供給手段、真空排気手段、真空容器内の圧力を制御する手段、および真空容器内の電極に載置された基板に対向して設けられたプラズマ源に高周波電力を印加することによって、真空容器内にプラズマを発生させ、基板を処理するものであって、開口面が面取り加工された貫通穴を有するたシールド板によって真空容器が基板のある側とない側に分離され、基板のない側にプラズマが回り込んでいない状態で基板を処理するようにしたことを特徴とする。このシールド板として、貫通穴のエッジ部を苛性エッチングあるいは、ブラスト処理などによりR加工を施すとともに誘電体によるコーティングまたは硬質アルマイト処理と誘電体によるコーティングを施したものを使用することで、異常放電が起こりにくい安定したプラズマ処理を実現する。

Claim (excerpt)：

密閉された真空容器内を、前記真空容器と電気的に接続され、多数の貫通穴を有するシールド板によって分離してなる処理領域内に被処理基板を配置し、前記被処理基板表面にプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、前記貫通穴は開口面が面取り部を構成してなることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/3065 , C23C 14/34 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (5)：

C23C 14/34 T , C23C 16/44 Z , H01L 21/205 , H05H 1/46 A , H01L 21/302 C

F-Term (19)：

4K029BD01 , 4K029DC20 , 4K030FA03 , 4K030KA12 , 4K030KA46 , 4K030KA47 , 5F004AA16 , 5F004BA04 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004BB32 , 5F004BC02 , 5F004BD04 , 5F045AA08 , 5F045DP02 , 5F045EC01 , 5F045EF14 , 5F045EF20 , 5F045EH13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-179616 Applicant：東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-032493 Applicant：シャープ株式会社
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-208846 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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