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J-GLOBAL ID：200903002606377280

窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法

Inventor：
野崎 千晴

About 野崎 千晴

, 
ジョン・レニー

About ジョン・レニー


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997231044
Publication number (International publication number)：1999074558
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：
【要約】【課題】 p側電極とp側コンタクト層との間に生じるコンタクト抵抗を低くすることができ、低しきい値電流,低動作電圧で劣化を起こさず、信頼性の向上をはかる。【解決手段】 サファイア基板1上にそれぞれ単結晶の、n-GaNコンタクト層3,n-AlGaNクラッド層4,GaN導波層5,MQW活性層6,GaN導波層6,p-AlGaNクラッド層8,p-GaNコンタクト層9を成長形成し、コンタクト層9上の一部にPt/Auからなるp側電極11,12を形成し、コンタクト層9からクラッド層4までを一部エッチングして露出したコンタクト層3上にTi/Auからなるn側電極13を形成したGaN系半導体レーザにおいて、コンタクト層9とp側電極11,12との間に、厚さが10nm以下でキャリア濃度が1×1017cm-3以上の多結晶のGaN層10を挿入した。
Claim (excerpt)：
単結晶の窒化ガリウム系化合物半導体からなり、活性層を導電型の異なるクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体素子であって、前記ダブルヘテロ構造のp側コンタクト層とp側電極との間に多結晶の窒化ガリウム系化合物半導体層を形成してなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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