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J-GLOBAL ID:200903052334156490

熱型赤外線検出素子およびこれを用いた撮像装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 原 謙三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000261655
Publication number (International publication number):2001153722
Application date: Aug. 30, 2000
Publication date: Jun. 08, 2001
Summary:
【要約】【課題】 製造プロセスにおいて大幅な工程増を伴うことなしに、ダイアフラム構造の熱容量が小さく、かつ赤外線吸収率が大きく、さらにその感度バラツキが小さい熱型赤外線検出素子を提供する。【解決手段】 本発明にかかる熱型赤外線検出素子は、半導体基板8上に所定間隔の空間を形成するように配置されるダイアフラム構造体1を有している。このダイアフラム構造体1は表面に赤外線吸収膜として高屈折率膜7を備えているとともに、該高屈折率膜7の下層に赤外線反射膜6を備えている。上記高屈折率膜7では、その屈折率をnとし、その厚さをdとし、吸収される赤外線の波長をλとした場合に、d=λ×{1/(4×n)}が成立している。
Claim (excerpt):
高屈折率膜を備えるダイアフラム構造体を有している熱型赤外線検出素子において、上記ダイアフラム構造体は、さらに、高屈折率膜の下層に形成される赤外線反射膜を備えており、上記高屈折率膜では、その屈折率をnとし、その厚さをdとし、吸収される赤外線の波長をλとした場合に、次式、d=λ×{1/(4×n)}が略成立していることを特徴とする熱型赤外線検出素子。
IPC (6):
G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  G01J 5/48 ,  H01L 27/14 ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33
FI (7):
G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 Q ,  G01J 5/02 C ,  G01J 5/48 A ,  H01L 37/02 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/14 K
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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