薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小野由己男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001135015
Publication number (International publication number)：2002246607
Application date： May. 02, 2001
Publication date： Aug. 30, 2002
Summary：

【要約】【課題】低抵抗物質からなる信号配線を用いると同時にパッド部の信頼性を確保することができる薄膜トランジスタ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線と、ゲート配線を覆っているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成される半導体パターンと、第1金属層及びインターメタリックコンパウンド層を含む多重層構造を有するデータ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線と、データ配線及び半導体パターン上に形成される保護膜と、ドレーン電極を露出する第1接触孔と、第1接触孔を介してドレーン電極に接触する画素電極とを含む。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に形成され、ゲート線及びゲート電極を含むゲート配線と、前記ゲート配線を覆っているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されており、半導体からなる半導体パターンと、前記半導体パターン及び前記ゲート絶縁膜上に形成され、第1金属層及びインターメタリックコンパウンド層を含む多重層構造を有するデータ線、ソース電極及びドレーン電極を含むデータ配線と、前記データ配線及び前記半導体パターン上に形成される保護膜と、前記ドレーン電極を露出する第1接触孔と、前記第1接触孔を介してドレーン電極に接触する画素電極とを含む薄膜トランジスタ基板。

IPC (6)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , H01L 21/28 301 , H01L 21/28 , H01L 21/3205 , H01L 21/768

FI (8)：

G02F 1/1368 , H01L 21/28 301 L , H01L 21/28 301 R , H01L 29/78 616 U , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 612 C , H01L 21/88 R , H01L 21/90 A

F-Term (109)：

2H092GA25 , 2H092GA29 , 2H092GA35 , 2H092GA43 , 2H092HA03 , 2H092HA04 , 2H092HA06 , 2H092JA26 , 2H092JA46 , 2H092JA48 , 2H092JB33 , 2H092KB01 , 2H092KB22 , 2H092NA18 , 4M104AA01 , 4M104AA10 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB13 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD08 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD64 , 4M104DD65 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104DD89 , 4M104FF03 , 4M104FF09 , 4M104FF17 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH15 , 4M104HH16 , 4M104HH20 , 5F033GG03 , 5F033HH38 , 5F033JJ01 , 5F033JJ38 , 5F033KK05 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033KK10 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK22 , 5F033KK25 , 5F033LL04 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ69 , 5F033QQ73 , 5F033QQ89 , 5F033QQ98 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR27 , 5F033SS11 , 5F033SS21 , 5F033TT04 , 5F033VV15 , 5F033WW10 , 5F033XX08 , 5F033XX09 , 5F033XX20 , 5F033XX33 , 5F110AA03 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110EE03 , 5F110FF03 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK42 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110NN03 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN72 , 5F110QQ03 , 5F110QQ09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (10)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-045515 Applicant：株式会社東芝
特開昭63-142832
薄膜トランジスタ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-022501 Applicant：富士通株式会社

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Cited by examiner (10)

薄膜トランジスタ基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-022501 Applicant：富士通株式会社
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-353680 Applicant：三星電子株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-045515 Applicant：株式会社東芝

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