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J-GLOBAL ID:200903062714788311

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小野 由己男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999353680
Publication number (International publication number):2000180898
Application date: Dec. 13, 1999
Publication date: Jun. 30, 2000
Summary:
【要約】【課題】 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造費用を減少させ、漏洩電流を防止する。【解決手段】 絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と;ゲート配線を覆うゲート絶縁膜パターン、その上の半導体層パターン及び接触層パターンを含む三重層を形成する段階と;下部導電層及び上部導電層の二重層からなる導電体パターンを形成する段階と;導電体パターンで覆われない接触層パターンをエッチングする段階と;保護膜を形成する段階と;保護膜で覆われない導電体パターンの上部導電層をエッチングする段階と;を含む。
Claim (excerpt):
絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜パターン、ゲート絶縁膜パターンの上の半導体層パターン及び接触層パターンを含む三重層を形成する段階と、下部導電層及び上部導電層の二重層からなる導電体パターンを形成する段階と、前記導電体パターンで覆われない接触層パターンを除去する段階と、保護膜を形成する段階と、保護膜で覆われない導電体パターンの上部導電層を除去する段階と、を含む液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法。
Patent cited by the Patent:
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Cited by examiner (16)
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