3次元デバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998048410
Publication number (International publication number)：1999251517
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】容易に、高性能の3次元デバイスを製造することができる3次元デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の3次元デバイスの製造方法は、透光性の基板1上に分離層2、中間層3および第1の被転写層41を形成し、同様に、透光性の基板1上に分離層2、中間層3および第2の被転写層42を形成する工程と、被転写層41の基板1と反対側に接着層5を介して基板(転写側基板)21を接合する工程と、分離層2に照射光7を照射し、アブレーションにより分離層2の層内および/または界面において剥離を生ぜしめ、被転写層41を基板1から離脱させて基板21へ転写する工程と、被転写層42の基板1と反対側に導電性接着層22を介して被転写層41を接合する工程と、前記と同様に分離層2に照射光7を照射し、被転写層42を基板1から離脱させて被転写層41上へ転写する工程とを有する。

Claim (excerpt)：

2次元方向の所定の領域内に配置される薄膜デバイス層をその厚さ方向に複数積層して3次元デバイスを製造する3次元デバイスの製造方法であって、前記各薄膜デバイス層のうちの少なくとも1つを転写法により積層することを特徴とする3次元デバイスの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

3次元集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244732 Applicant：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.
3次元集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244734 Applicant：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.
特開平1-140753

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Cited by examiner (12)

3次元集積回路の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-244732 Applicant：フラウンホッファー-ゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.
3次元集積回路の製造方法
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特開平1-140753

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