半導体薄膜の形成方法、パルスレーザ照射装置、および半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：若林忠 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998199482
Publication number (International publication number)：2000021776
Application date： Jul. 01, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】アモルファス化あるいは微結晶化が生じることがなく、理想的な熱平衡過程により近い溶融再結晶化過程を経て結晶質シリコン薄膜を形成することのできる半導体薄膜の形成方法を提供することにある。【解決手段】シリコンを主成分とする半導体薄膜の形成方法であって、光照射エネルギーによる少なくとも一回の溶融固化過程を有し、その最終固化過程における最大冷却速度を1.6×1010°C/sec以下にする。

Claim (excerpt)：

シリコンを主成分とする半導体薄膜の形成方法であって、光照射エネルギーによる少なくとも一回の溶融固化過程を有し、その最終固化過程における最大冷却速度を1.6×1010°C/sec以下にすることを特徴とする半導体薄膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/20 , H01L 21/268 F , H01L 29/78 627 G

F-Term (8)：

5F052AA02 , 5F052BA01 , 5F052BA18 , 5F052CA04 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052EA16 , 5F052JA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体の溶融結晶化方法及び不純物活性化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-256968 Applicant：シャープ株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-317883 Applicant：富士通株式会社
パルスガスレーザ発振装置、レーザアニール装置、半導体装置の製造方法、及び半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-164586 Applicant：株式会社東芝

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