プラズマ処理装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999190103
Publication number (International publication number)：2001023959
Application date： Jul. 05, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】プラズマを利用し、試料の表面処理を行なうプラズマ処理装置において、高アスペクト比のパターンを高速度で処理する。【解決手段】処理室2内に設けた載置台4の載置面と対向して、処理室2の上部に、中性粒子、または中性粒子を生成するガスを供給する供給系を備えた貯気室6を設け、対向電極を兼ねた分離板7により処理室2と貯気室6を分離し、分離板7の噴出孔8より貯気室6内の中性粒子を噴出させるとともに、処理室2内に供給された処理ガスを高周波アンテナ9によりプラズマ化して、載置台4上の試料5の表面処理を行うように構成する。

Claim (excerpt)：

処理室と、この処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記処理室内に配置される被処理物を載置する載置台と、この載置台へバイアスを印加するバイアス印加手段と、前記載置台の、被処理物を載置する面と対向する位置に設けられ、中性粒子、または中性粒子を生成するガスを供給する供給系を備えた貯気室と、この貯気室と前記処理室を分離し、前記中性粒子を前記処理室に噴出させるための噴出孔を有する分離板と、排気系とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/302 C , H01L 21/205

F-Term (31)：

5F004AA00 , 5F004AA01 , 5F004BA04 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BB30 , 5F004BC08 , 5F004EB08 , 5F045AA08 , 5F045BB01 , 5F045BB02 , 5F045DP01 , 5F045DP02 , 5F045DP03 , 5F045EF01 , 5F045EF05 , 5F045EF08 , 5F045EF11 , 5F045EH01 , 5F045EH02 , 5F045EH03 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH08 , 5F045EH11 , 5F045EH12 , 5F045EH13 , 5F045EH14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

ドライエッチング装置及びドライエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-193707 Applicant：日本電気株式会社
特開昭61-136229
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-311408 Applicant：日本電気株式会社

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