Pat
J-GLOBAL ID:200903053291170201
ハイブリッド化学処理装置及び方法
Inventor:
,
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
長谷川 芳樹
, 山田 行一
, 鈴木 康仁
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003384954
Publication number (International publication number):2004214622
Application date: Nov. 14, 2003
Publication date: Jul. 29, 2004
Summary:
【課題】 複数の堆積技術を使用して複数の材料層をその場で堆積するための新規な方法及び装置を提供する。【解決手段】基板110をチャンバー本体102内に配置し、チャンバー本体に配置されたガス分配アセンブリ130を使用して2つ以上の化合物をチャンバー本体内へ分配して、第1の材料で構成された膜を堆積し、同様にして、第2の材料で構成された膜を堆積する。ガス分配アセンブリは、チャンバー本体と流体連通するガスコンジットと、ガスコンジットと流体連通する1つ以上の高速作動バルブ140A,140Bが設けられた2つ以上の分離されたガス導入口と、ガスコンジットと流体連通する混合チャンネルとを含む。バルブは、1つ以上の化合物をガスコンジットへ交互にパルス作動し、混合チャンネルは、1つ以上の化合物の連続流をガスコンジットへ分配する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
複数の堆積プロセスを実行することのできる装置であって、
チャンバー本体と、
ガス分配アセンブリと、
を備え、該ガス分配アセンブリは、
上記チャンバー本体と流体連通するガスコンジットと、
上記ガスコンジットと流体連通し、上記ガスコンジットへ2つ以上のガスを交互にパルス作動する1つ以上の高速作動バルブが設けられた2つ以上の分離されたガス導入口と、
上記ガスコンジットと流体連通し、1つ以上の化合物の連続流を上記ガスコンジットへ分配する混合チャンネルと、
を備えた装置。
IPC (4):
H01L21/285
, C23C16/455
, H01L21/28
, H01L21/768
FI (4):
H01L21/285 C
, C23C16/455
, H01L21/28 301R
, H01L21/90 A
F-Term (39):
4K030BB12
, 4K030EA03
, 4K030EA05
, 4K030EA08
, 4K030LA15
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB14
, 4M104BB17
, 4M104BB18
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104BB33
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD23
, 4M104DD33
, 4M104DD43
, 4M104DD44
, 4M104DD45
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104DD79
, 4M104FF22
, 5F033JJ11
, 5F033JJ32
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK19
, 5F033PP02
, 5F033PP06
, 5F033PP12
, 5F033PP14
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ48
, 5F033QQ73
, 5F033RR01
, 5F033RR04
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
特開平4-087323
-
Cu-CVDプロセス用原料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-052169
Applicant:アネルバ株式会社, 三菱マテリアル株式会社
-
フラッシュ気化器
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-534391
Applicant:シャープ株式会社, バージニアテックインテレクチュアルプロパティーズ,インコーポレイテッド
-
交互層蒸着前の保護層
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-144436
Applicant:エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
-
成膜方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-065453
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
バリア膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-225711
Applicant:日本真空技術株式会社
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Cited by examiner (6)
-
特開平4-087323
-
Cu-CVDプロセス用原料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-052169
Applicant:アネルバ株式会社, 三菱マテリアル株式会社
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フラッシュ気化器
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平10-534391
Applicant:シャープ株式会社, バージニアテックインテレクチュアルプロパティーズ,インコーポレイテッド
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交互層蒸着前の保護層
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-144436
Applicant:エイエスエムマイクロケミストリオーワイ
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成膜方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-065453
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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バリア膜形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-225711
Applicant:日本真空技術株式会社
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