Pat
J-GLOBAL ID：200903054092506310

パターンの位置合わせ精度測定方法、パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法、半導体装置の製造方法

Inventor：
中島 嘉樹

About 中島 嘉樹

, 
権田 朗

About 権田 朗


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 渡邊 隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002006571
Publication number (International publication number)：2003209041
Application date： Jan. 15, 2002
Publication date： Jul. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 電気光学装置や半導体装置の製造プロセスにおいて、位置合わせ精度良くパターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 下層側の位置合わせマークの中心に対する上層側の位置合わせマークの中心のズレ量を測定し、ズレ量が許容値以内の場合には次工程の作業を実施する一方、ズレ量が許容値を越える場合には上層側レイヤーの位置合わせマークおよび実使用パターンを一旦除去した後、再度下層側レイヤーに対する位置合わせを行って上層側レイヤーの位置合わせマークおよび実使用パターンを形成し、下層側の位置合わせマークの中心に対する上層側の位置合わせマークの中心のズレ量を測定する作業を前記ズレ量が許容値以内となるまで繰り返す。
Claim (excerpt)：
下層側レイヤーに実使用パターンおよび位置合わせ精度測定用の位置合わせマークが設けられるとともに、上層側レイヤーに実使用パターンおよび位置合わせ精度測定用の位置合わせマークが設けられ、下層側位置合わせマークに対する上層側位置合わせマークの位置合わせ精度を測定するパターンの位置合わせ精度測定方法であって、前記下層側位置合わせマークの中心に対する前記上層側位置合わせマークの中心のズレ量を測定することにより、前記下層側位置合わせマークに対する前記上層側位置合わせマークの位置合わせ精度を測定することを特徴とするパターンの位置合わせ精度測定方法。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786
FI (5)：
G02F 1/1368 ,  H01L 21/30 520 C ,  H01L 21/30 522 Z ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 624
F-Term (27)：
2H092JA24 ,  2H092MA13 ,  2H092MA41 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F046EA04 ,  5F046EA09 ,  5F046EA30 ,  5F046EB01 ,  5F046FC03 ,  5F046FC10 ,  5F110AA24 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HM15 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (14)
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