Pat
J-GLOBAL ID:200903054201588543
成膜方法および装置並びにデバイスの製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
村上 友一
, 大久保 操
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002184287
Publication number (International publication number):2004031558
Application date: Jun. 25, 2002
Publication date: Jan. 29, 2004
Summary:
【課題】大きな撥液性を有するとともに、易分解性の膜を成膜できるようにする。【解決手段】成膜装置50は、放電部52を構成している放電チャンバ54の内部が放電用電極58によって、放電領域64と成膜処理部70とに区画してある。放電用電極58は、2枚の多孔板58a、58bによって構成してある。各多孔板58a、58bは、離間させて近接配置してある。また、多孔板58a、58bは、透孔68a、68bの位置が相互にずらされていて、成膜処理部70に配置したワーク16を放電領域64から遮っている。多孔板58a、58bは、放電チャンバ54を介して接地してあり、荷電粒子をトラップして電気的に中性な気体分子を通過させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
気体状の有機物を放電により活性化し、活性化した前記有機物を放電領域外に配置したワークの表面に供給して成膜させることを特徴とする成膜方法。
IPC (6):
H01L21/31
, C23C14/12
, C23C16/01
, C23C16/455
, H05B33/10
, H05B33/14
FI (6):
H01L21/31 C
, C23C14/12
, C23C16/01
, C23C16/455
, H05B33/10
, H05B33/14 A
F-Term (25):
3K007AB18
, 3K007DB03
, 3K007FA01
, 4K029BA62
, 4K029BC07
, 4K029BD00
, 4K029CA11
, 4K029CA12
, 4K029DB02
, 4K029DB06
, 4K030AA01
, 4K030AA04
, 4K030BA35
, 4K030BA36
, 4K030FA01
, 4K030LA01
, 4K030LA11
, 5F045AA08
, 5F045AB39
, 5F045AC02
, 5F045AC16
, 5F045AF08
, 5F045DP04
, 5F045DQ10
, 5F045EH18
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
-
ラジカルの制御方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-241487
Applicant:名古屋大学長
-
半導体装置の製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-060787
Applicant:日本電気株式会社
-
輸送重合および化学気相成長法用新蒸着システムおよびプロセス
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-518129
Applicant:クエスターテクノロジーインコーポレイテッド
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Cited by examiner (6)
-
ラジカルの制御方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-241487
Applicant:名古屋大学長
-
半導体装置の製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-060787
Applicant:日本電気株式会社
-
輸送重合および化学気相成長法用新蒸着システムおよびプロセス
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-518129
Applicant:クエスターテクノロジーインコーポレイテッド
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