成膜方法および装置並びにデバイスの製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：村上友一 , 大久保操
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002184287
Publication number (International publication number)：2004031558
Application date： Jun. 25, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：

【課題】大きな撥液性を有するとともに、易分解性の膜を成膜できるようにする。【解決手段】成膜装置50は、放電部52を構成している放電チャンバ54の内部が放電用電極58によって、放電領域64と成膜処理部70とに区画してある。放電用電極58は、2枚の多孔板58a、58bによって構成してある。各多孔板58a、58bは、離間させて近接配置してある。また、多孔板58a、58bは、透孔68a、68bの位置が相互にずらされていて、成膜処理部70に配置したワーク16を放電領域64から遮っている。多孔板58a、58bは、放電チャンバ54を介して接地してあり、荷電粒子をトラップして電気的に中性な気体分子を通過させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

気体状の有機物を放電により活性化し、活性化した前記有機物を放電領域外に配置したワークの表面に供給して成膜させることを特徴とする成膜方法。

IPC (6)：

H01L21/31 , C23C14/12 , C23C16/01 , C23C16/455 , H05B33/10 , H05B33/14

FI (6)：

H01L21/31 C , C23C14/12 , C23C16/01 , C23C16/455 , H05B33/10 , H05B33/14 A

F-Term (25)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA01 , 4K029BA62 , 4K029BC07 , 4K029BD00 , 4K029CA11 , 4K029CA12 , 4K029DB02 , 4K029DB06 , 4K030AA01 , 4K030AA04 , 4K030BA35 , 4K030BA36 , 4K030FA01 , 4K030LA01 , 4K030LA11 , 5F045AA08 , 5F045AB39 , 5F045AC02 , 5F045AC16 , 5F045AF08 , 5F045DP04 , 5F045DQ10 , 5F045EH18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ラジカルの制御方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-241487 Applicant：名古屋大学長
半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-060787 Applicant：日本電気株式会社
輸送重合および化学気相成長法用新蒸着システムおよびプロセス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-518129 Applicant：クエスターテクノロジーインコーポレイテッド

Show all

Return to Previous Page