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J-GLOBAL ID：200903054201588543

成膜方法および装置並びにデバイスの製造方法

Inventor：
▲高▼木 憲一

About ▲高▼木 憲一


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (2)： 村上 友一 ,  大久保 操
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002184287
Publication number (International publication number)：2004031558
Application date： Jun. 25, 2002
Publication date： Jan. 29, 2004
Summary：
【課題】大きな撥液性を有するとともに、易分解性の膜を成膜できるようにする。【解決手段】成膜装置50は、放電部52を構成している放電チャンバ54の内部が放電用電極58によって、放電領域64と成膜処理部70とに区画してある。放電用電極58は、2枚の多孔板58a、58bによって構成してある。各多孔板58a、58bは、離間させて近接配置してある。また、多孔板58a、58bは、透孔68a、68bの位置が相互にずらされていて、成膜処理部70に配置したワーク16を放電領域64から遮っている。多孔板58a、58bは、放電チャンバ54を介して接地してあり、荷電粒子をトラップして電気的に中性な気体分子を通過させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
気体状の有機物を放電により活性化し、活性化した前記有機物を放電領域外に配置したワークの表面に供給して成膜させることを特徴とする成膜方法。
IPC (6)：
H01L21/31 ,  C23C14/12 ,  C23C16/01 ,  C23C16/455 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14
FI (6)：
H01L21/31 C ,  C23C14/12 ,  C23C16/01 ,  C23C16/455 ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
F-Term (25)：
3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4K029BA62 ,  4K029BC07 ,  4K029BD00 ,  4K029CA11 ,  4K029CA12 ,  4K029DB02 ,  4K029DB06 ,  4K030AA01 ,  4K030AA04 ,  4K030BA35 ,  4K030BA36 ,  4K030FA01 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5F045AA08 ,  5F045AB39 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045AF08 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (6)
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